Memoria Kingston Sodimm DDR4 8Gb 3200 Mhz CL22 260Pin 1.2V
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Tipo de memoria interna: DDR4.
Memoria interna: 8 GB.
Diseño de memoria: 1 x 8 GB.
Velocidad de memoria del reloj: 3200 MHz.
Latencia CAS: 22.
Factor de Forma: 260-pin SO-DIMM.
$440.00 IVA incluido
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Notificarme cuando esté disponible.
La memoria RAM Kingston DDR4 3200MHz 8GB Non-ECC CL22 KVR32S22S6/8 es un componente de alta calidad diseñado para mejorar el rendimiento de las computadoras portátiles.
Esta memoria interna cuenta con una velocidad de reloj de 3200 MHz y una capacidad total de almacenamiento interno de 8 GB.
El factor de forma del módulo es un SO-DIMM con un número total de pines igual a 260, lo que garantiza su compatibilidad con la mayoría de los dispositivos móviles modernos.
Además, esta memoria no requiere registro (unbuffered) ni soporta corrección automática en errores (ECC).
En cuanto al diseño, este modelo se presenta como un único módulo x tamaño:1x8GB. La latencia CAS es igual a 22 y el tiempo activo en fila alcanza los 32 ns mientras que el tiempo ciclo fila llega hasta los45.75ns .
El perfil SPD está disponible para facilitar la configuración correcta del sistema.
Este producto cumple con las normas JEDEC standard y ha sido certificado por RoHS (Sustainability certificates) asegurando así su compromiso medioambiental durante todo el proceso productivo.
Por último, cabe destacar que la temperatura operativa recomendada oscila entre los cero grados Celsius y los ochenta y cinco grados Celsius mientras que la temperatura máxima permitida durante el almacenaje puede llegar hasta -55°C o incluso superarlos si se trata del límite máximo establecido por encima del cual podría dañarse irreversiblemente.. En resumen, la Memoria RAM Kingston DDR4 ofrece altas prestaciones técnicas junto a una gran fiabilidad gracias a sus características avanzadas e innovadoras tecnologías incorporadas en su diseño.
Características:
Fuente de alimentación: VDD = 1.2 V típico
• VDDQ = 1.2 V típico
• VPP = 2.5 V típico
• VDDSPD = 2.2 V a 3.6 V
• Terminación en matriz (ODT) nominal y dinámica para
señales de datos, estroboscópicas y de máscara
• Autoactualización de bajo consumo (LPASR)
• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en matriz
• Rango único
• EEPROM de detección de presencia (SPD) serial I2 integrada
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
• Se corrigió el corte de ráfaga (BC) de 4 y la longitud de ráfaga (BL) de 8
a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)
• Topología de paso
• Comando de control terminado y bus de direcciones
• PCB: Altura 1.18” (30,00 mm)
• Cumple con RoHS y libre de halógenos
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