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Transistor MOSFET PA110BDA.
Disponibilidad:
Hay existencias
- Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 15 A
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Transistor MOSFET PA110BDA
El PA110BDA es un MOSFET de canal N en modo de mejora, diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia. Su capacidad para manejar hasta 15 A y una tensión drenaje-fuente de 100 V lo hacen ideal para aplicaciones en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y control de motores.
Características:
- Número de Parte: PA110BDA
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad: N
- Encapsulado: TO-252
- Aplicaciones: Fuentes de alimentación conmutadas, inversores, control de motores y circuitos de potencia
Especificaciones Máximas:
- Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 15 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Características Eléctricas:
- Tiempo de elevación (tr): 15 nS
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 52 pF
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.105 Ω
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