Transistor mosfet canal N 2N7000 60V 0.2A 5 Ohm
Hay existencias
Voltaje drain – source: 60 V.
Voltaje drain – gate: 60 V.
Voltaje gate – source: 20 V.
Máxima corriente drain: 200 mA.
Potencia Máxima: 400 mW.
Rango de temperatura: – 55 °C ~ +150 °C.
Encapsulado: TO – 92.
K0102
$3.00 IVA incluido
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Crédito sujeto a aprobación.
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Serie: 2N7000
Tipo de transistor: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-92-3
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 Canal
Voltaje de Drenaje a Fuente Vds: 60V
Corriente Continua de Drenaje Id: 200mA
Resistencia de Activación Rds(on): 5 Ohms
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Disipación de Potencia Pd: 400mW
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Altura: 5.33 mm
Longitud: 5.2 mm
Ancho: 4.19 mm
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