Fototransistor NPN PT5824C 60V

El PT5824C es un fototransistor dual NPN de silicio, de alta velocidad y alta sensibilidad, encapsulado en un cuerpo plástico compacto de perfil plano. Gracias a su resina epóxica transparente, es altamente sensible tanto a radiación visible como infrarroja, lo que lo hace ideal para aplicaciones de detección óptica.

Descripción General

Fototransistor NPN dual, Diseñado para ofrecer tiempos de respuesta rápidos y alta sensibilidad luminosa en sistemas electrónicos compactos.

Características Principales

• Alta velocidad de respuesta.
• Alta sensibilidad a luz visible e infrarroja.
• Encapsulado compacto de perfil plano.
• Libre de plomo (Pb Free).
• Cumple con normativa RoHS.

Especificaciones Técnicas

• Tipo: Fototransistor dual NPN.
• Modelo: PT5824C.
• Voltaje colector-emisor máximo: 60 V.
• Corriente máxima: 0.02 A.
• Encapsulado: Plástico con resina epóxica transparente.
• Dimensiones: 2 x 5 x 7 mm.

Aplicaciones

• Sistemas de detección por infrarrojo.
• Cámaras.
• Dispositivos de entrada como mouse ópticos.
• Sistemas de control y sensado óptico.