Transistor JFET 2N5457 25V 10mA

Disponibilidad:

Hay existencias


  • Disipación máxima de potencia (Pd): 0.625 W
  • Voltaje máximo drenador–fuente (Vds): 25 V
  • Voltaje máximo puerta–fuente (Vgs): ±2.5 V
  • Corriente máxima de drenaje (Id): 5 mA
  • Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

K0052

$20.00 IVA incluido

Hay existencias

El 2N5457 es un transistor JFET de canal N diseñado para aplicaciones de bajo ruido, alta impedancia de entrada y amplificación de señales pequeñas. Es ampliamente utilizado en etapas de entrada de amplificadores, instrumentos de medición y circuitos de audio.

Información General

  • Designador: 2N5457
  • Tipo de transistor: JFET
  • Canal de control: N-Channel
  • Encapsulado: TO-92

Valores Máximos Absolutos

  • Disipación máxima de potencia (Pd): 0.625 W
  • Voltaje máximo drenador–fuente (Vds): 25 V
  • Voltaje máximo puerta–fuente (Vgs): ±2.5 V
  • Corriente máxima de drenaje (Id): 5 mA
  • Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Características Eléctricas

  • Voltaje de corte puerta–fuente Vgs(off): 0.5 V (mín.)
  • Alta impedancia de entrada.
  • Bajo nivel de ruido.

Reemplazos y Equivalentes Compatibles

Los siguientes JFETs pueden utilizarse como reemplazo del 2N5457, considerando polaridad, encapsulado y rango de operación:

  • 2N5458 (mayor Idss, verificar polarización)
  • 2N5459 (mayor ganancia, requiere ajuste)
  • MPF102 (reemplazo común en audio)
  • J113 (mayor corriente, verificar Vgs)
  • BF245 (A/B/C según ganancia)

Aplicaciones Típicas

  • Amplificadores de señal pequeña.
  • Etapas de entrada de alta impedancia.
  • Circuitos de audio de bajo ruido.
  • Instrumentación y sensores.
Categoría: Etiqueta:

Basado en 0 comentarios

0.0 general
0
0
0
0
0

Sé el primero en opinar "Transistor JFET 2N5457 25V 10mA"

Todavía no hay comentarios.