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Transistor JFET 2N5457 25V 10mA
Disponibilidad:
Hay existencias
- Disipación máxima de potencia (Pd): 0.625 W
- Voltaje máximo drenador–fuente (Vds): 25 V
- Voltaje máximo puerta–fuente (Vgs): ±2.5 V
- Corriente máxima de drenaje (Id): 5 mA
- Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
K0052
$20.00 IVA incluido
Hay existencias
El 2N5457 es un transistor JFET de canal N diseñado para aplicaciones de bajo ruido, alta impedancia de entrada y amplificación de señales pequeñas. Es ampliamente utilizado en etapas de entrada de amplificadores, instrumentos de medición y circuitos de audio.
Información General
- Designador: 2N5457
- Tipo de transistor: JFET
- Canal de control: N-Channel
- Encapsulado: TO-92
Valores Máximos Absolutos
- Disipación máxima de potencia (Pd): 0.625 W
- Voltaje máximo drenador–fuente (Vds): 25 V
- Voltaje máximo puerta–fuente (Vgs): ±2.5 V
- Corriente máxima de drenaje (Id): 5 mA
- Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
Características Eléctricas
- Voltaje de corte puerta–fuente Vgs(off): 0.5 V (mín.)
- Alta impedancia de entrada.
- Bajo nivel de ruido.
Reemplazos y Equivalentes Compatibles
Los siguientes JFETs pueden utilizarse como reemplazo del 2N5457, considerando polaridad, encapsulado y rango de operación:
- 2N5458 (mayor Idss, verificar polarización)
- 2N5459 (mayor ganancia, requiere ajuste)
- MPF102 (reemplazo común en audio)
- J113 (mayor corriente, verificar Vgs)
- BF245 (A/B/C según ganancia)
Aplicaciones Típicas
- Amplificadores de señal pequeña.
- Etapas de entrada de alta impedancia.
- Circuitos de audio de bajo ruido.
- Instrumentación y sensores.
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