Transistor 2N3906 PNP.

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Designador de tipo: 2N3906
Polaridad: PNP
Disipación máxima de potencia del colector (Pc): 0,31 W
Tensión máxima colector-base |Vcb|: 40 V
Tensión máxima colector-emisor |Vce|: 40 V
K0124

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Es un dispositivo electrónico de estado sólido de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) que utiliza las propiedades del silicio para amplificar señales de voltaje o corriente. Este transistor es de tipo “PNP”, formado por dos capas de material tipo “P”, separadas por otra de tipo “N”. El 2N3906 PNP está protegido por un encapsulado de plástico color negro conocido como TO-92 y cuenta con 3 pines que son base, colector y emisor, donde el emisor se encarga de emitir o inyectar electrones, la base permite transferir o pasar los electrones y el colector se encarga de colectar electrones.
Este transistor es de propósito general y está diseñado para aplicaciones lineales y de conmutación, es utilizado comúnmente como amplificador de media potencia. Funciona en tres regiones semiconductoras, las cuales son: corte, saturación y amplificación. Se puede aplicar una pequeña corriente en la región base, para controlar una corriente mayor que fluirá entre las regiones (emisor y colector).
Características:
Designador de tipo: 2N3906
Polaridad: PNP
Disipación máxima de potencia del colector (Pc): 0,31 W
Tensión máxima colector-base |Vcb|: 40 V
Tensión máxima colector-emisor |Vce|: 40 V
Tensión máxima emisor-base |Veb|: 5 V
Corriente máxima del colector |Ic max|: 0,2 A
Máx. Temperatura de funcionamiento de la unión (Tj): 135 °C
Frecuencia de transición (pies): 250 MHz
Capacitancia del colector (Cc): 5 pF
Relación de transferencia de corriente directa (hFE), MIN: 100

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