Transistor 2N5551 NPN.
Hay existencias
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 140 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
K0531
$3.00 IVA incluido
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Es un BJT (transistor de unión bipolar) de silicio NPN. Este pequeño transistor ayuda a impulsar grandes cargas o amplificar o conmutar aplicaciones. El 2N5551 está clasificado específicamente a 160V y 600mA máximo.
Características:
Número de Parte: 2N5551
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
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