Transistor Mosfet Canal N TK5P50D 5A 500V 1.5Ohms

MOSFET TK5P50D

El TK5P50D es un MOSFET de potencia tipo N diseñado para aplicaciones de conmutación y control de energía.
Ofrece un voltaje de drenador-fuente de hasta 500 V y una corriente de drenaje continua de 5 A, lo que lo hace adecuado para fuentes de alimentación conmutadas, control de cargas y aplicaciones industriales.

Principales características

• Alta capacidad de disipación de potencia: 80 W
• Tensión máxima drenador-fuente (Vds): 500 V
• Corriente de drenaje continua (Id): 5 A
• Tensión de compuerta-fuente (Vgs): ±30 V
• Baja carga de compuerta (Qg): 11 nC
• Resistencia en conducción (Rds(on)): 1.5 Ω
• Tiempo de conmutación rápido: 18 ns
• Capacitancia de salida (Coss): 55 pF
• Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Especificaciones máximas

• Disipación de potencia (Pd): 80 W
• Voltaje drenador-fuente (Vds): 500 V
• Voltaje compuerta-fuente (Vgs): ±30 V
• Corriente de drenaje (Id): 5 A
• Temperatura de unión (Tj): 150 °C

Características eléctricas

• Tensión umbral de compuerta (Vgs(th)): 4.4 V
• Carga de compuerta (Qg): 11 nC
• Tiempo de subida (tr): 18 ns
• Capacitancia de salida (Coss): 55 pF
• Resistencia Rds(on): 1.5 Ω

Equivalentes y reemplazos

El MOSFET TK5P50D puede ser reemplazado por dispositivos con especificaciones similares, como:

• 2SK3569 – 500 V, 5 A, Rds(on) bajo
• STP5NK50Z – 500 V, 4.8 A
• IRF840 – 500 V, 8 A (corriente mayor, Rds(on) más alto)
• FQP5N50 – 500 V, 5 A

Se recomienda verificar las condiciones de trabajo específicas de la aplicación antes de seleccionar un reemplazo.