Transistor MOSFET PA110BDA.

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Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W.
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V.
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V.
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A.
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C.
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Transistor PA110BDA, Modo de mejora de canal N MOSFET.
Número de Parte: PA110BDA.
Tipo de FET: MOSFET.
Polaridad de transistor: N.
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS.
Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W.
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V.
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V.
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A.
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS.
Tiempo de elevación (tr): 15 nS.
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 52 pF.
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.105 Ohm.
Paquete / Caja (carcasa): TO252.

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