Transistor MOSFET PA110BDA.

Transistor MOSFET PA110BDA

El PA110BDA es un MOSFET de canal N en modo de mejora, diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia. Su capacidad para manejar hasta 15 A y una tensión drenaje-fuente de 100 V lo hacen ideal para aplicaciones en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y control de motores.

Características:

• Número de Parte: PA110BDA
• Tipo de FET: MOSFET
• Polaridad: N
• Encapsulado: TO-252
• Aplicaciones: Fuentes de alimentación conmutadas, inversores, control de motores y circuitos de potencia

Especificaciones Máximas:

• Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 15 A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

Características Eléctricas:

• Tiempo de elevación (tr): 15 nS
• Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 52 pF
• Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.105 Ω