MDF13N50B 500V 13A 0.5ohm

El MDP/F13N50B utiliza la avanzada tecnología MOSFET de Magnachip, que proporciona baja resistencia de estado, alto rendimiento de conmutación y excelente calidad. MDP/F13N50B es un dispositivo adecuado para SMPS, HID y aplicaciones de uso general.

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 168 W
Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 140 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 245 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.42 Ohm