Mosfet IRF520.

MOSFET IRF520

Los MOSFET son reconocidos por proporcionar a los diseñadores un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones. El paquete TO-220 es universalmente preferido para aplicaciones comerciales e industriales en niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. Su baja resistencia térmica y bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.

Características del IRF520

Especificaciones Máximas

• Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W.
• Voltaje máximo drenador-fuente (Vds): 100 V.
• Voltaje máximo fuente-puerta (Vgs): 20 V.
• Corriente continua de drenaje (Id): 9.2 A.
• Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C.

Características Eléctricas

• Tensión umbral entre puerta y fuente (Vgs(th)): 4 V.
• Carga de la puerta (Qg): 16 nC (máx).
• Tiempo de subida (tr): 30 nS.
• Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 450 pF.
• Resistencia entre drenaje y fuente (RDS(on)): 0.27 Ohm.