Mosfet IRF613.

Estos dispositivos son canales n, modo de mejora, potencia MOSFETs diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, CA y CC controles de motor, controladores de relés y solenoides y otros impulsos circuitos.
Características del MOSFET IRF613:
Tipo de transistor: MOSFET.
Tipo de canal de control: N -Channel.
Disipación máxima de potencia: 20 W.
Tensión máxima entre drenaje y fuente: 150 V.
Voltaje máximo de puerta-fuente: 20 V.
Tensión máxima de puerta-umbral: 4 V.
Corriente máxima de drenaje: 2 A
Temperatura máxima de unión: 150 °C.
Carga total de la puerta: 7.5 (máx.) nC.
Tiempo de subida: 25 (máx.) nS.
Capacitancia de drenaje-fuente: 80 (máx.) pF.
Resistencia máxima en estado de fuente de drenaje: 2.4 ohmios.
Paquete: TO220AB.