MOSFET IRF613 – Transistor de Potencia Canal N

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  • Máxima disipación de potencia (Pd): 94 W
  • Voltaje máximo drenador-fuente (Vds): 55 V
  • Voltaje máximo fuente-puerta (Vgs): 20 V
  • Corriente continua de drenaje (Id): 49 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

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  • Polaridad del transistor: N
  • Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
  • Voltaje máximo drenador-fuente (Vds): 600 V
  • Voltaje máximo fuente-puerta (Vgs): 30 V

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  • Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W.
  • Voltaje máximo colector-base (Vcb): 50 V.
  • Voltaje máximo colector-emisor (Vce): 45 V.
  • Voltaje máximo emisor-base (Veb): 5 V.
  • Corriente máxima del colector (Ic): 0.1 A.

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  • Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
  • Tensión colector-base (Vcb): 50 V
  • Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
  • Tensión emisor-base (Veb): 6 V
  • Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

  K0446

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