Mosfet 6N60C.

Estos transistores de efecto de campo de potencia en modo de mejora de canal N se producen utilizando la tecnología DMOS de banda plana patentada por Fairchild. Esta tecnología avanzada ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en estado encendido, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Estos dispositivos son muy adecuados para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia, corrección activa del factor de potencia y balastros de lámparas electrónicos basados ​​en topología de medio puente.

Especificaciones técnicas:
Polaridad de transistor: N.
Especificaciones máximas:
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
Características eléctricas:
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 20 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2 Ohm