Mosfet 6N60C.

MOSFET 6N60C – Transistor de Potencia Canal N

El 6N60C es un transistor MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N, diseñado para aplicaciones de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas, corrección activa del factor de potencia y balastros electrónicos. Su fabricación con tecnología DMOS de banda plana patentada por Fairchild permite una baja resistencia en estado encendido, mejor rendimiento de conmutación y alta capacidad de manejar pulsos de energía en modo de avalancha.

Especificaciones Técnicas:

• Polaridad del transistor: N
• Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
• Voltaje máximo drenador-fuente (Vds): 600 V
• Voltaje máximo fuente-puerta (Vgs): 30 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 5.5 A
• Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Características Eléctricas:

• Tensión umbral entre puerta y fuente (Vgs(th)): 4 V
• Carga de la puerta (Qg): 20 nC
• Resistencia en estado encendido (RDS(on)): 2 Ω

Aplicaciones:

• Fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia
• Corrección activa del factor de potencia
• Balastros electrónicos para lámparas
• Controladores de motores y convertidores DC-DC