MOSFET IRF613 – Transistor de Potencia Canal N

• Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W.
• Tensión colector-base (Vcb): 60 V.
• Tensión colector-emisor (Vce): 50 V.
• Tensión emisor-base (Veb): 5 V.
• Corriente máxima del colector (Ic): 0.15 A.
• Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C.

K0070

• Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
• Tensión colector-base (Vcb): 60 V
• Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
• Tensión emisor-base (Veb): 6 V
• Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

K0134