Mosfet IRF540 canal N 100V 28A

El IRF540 es un MOSFET de canal N ampliamente utilizado en aplicaciones de potencia media y alta, ideal para conmutación y amplificación en fuentes de alimentación, control de motores, inversores y circuitos de potencia en general.

Información General

• Número de parte: IRF540
• Tipo de FET: MOSFET
• Polaridad: Canal N
• Encapsulado: TO-220

Especificaciones Máximas

• Disipación máxima de potencia (Pd): 125 W
• Voltaje drenador–fuente máximo (Vds): 100 V
• Voltaje puerta–fuente máximo (Vgs): ±20 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 28 A
• Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Características Eléctricas

• Tensión umbral puerta–fuente Vgs(th): 4 V
• Carga total de compuerta (Qg): 59 nC (máx.)
• Tiempo de subida (tr): 60 ns (máx.)
• Capacitancia de salida (Coss): 800 pF (máx.)
• Resistencia drenaje–fuente en conducción Rds(on): 0.077 Ω

Equivalentes y Reemplazos Compatibles

Los siguientes MOSFETs pueden utilizarse como reemplazo del IRF540, siempre verificando encapsulado y condiciones de operación:

• IRF540N (mejor Rds(on), reemplazo directo)
• IRFZ44N (menor Vds, mayor corriente)
• IRL540 (versión logic level)
• STP55NF06 (verificar Vds según aplicación)
• FQP30N06L (aplicaciones de baja tensión)

Aplicaciones Típicas

• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Control de motores DC.
• Inversores y convertidores de potencia.
• Etapas de conmutación de alta corriente.