Transistor BD135 NPN.

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  • Voltaje colector-base (VCBO): 45 V.
  • Voltaje colector-emisor (VCEO): 45 V.
  • Voltaje emisor-base (VEBO): 5 V.
  • Corriente de colector DC (Ic): 1.5 A.
  • Corriente pico de colector (Icm): 3 A.
  • Corriente base (Ib): 0.5 A.

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Transistor BD135 NPN

El BD135 es un transistor NPN de baja tensión, diseñado para aplicaciones de control y amplificación de señales. Es un transistor plano epitaxial de silicio montado en un paquete de plástico Jedec SOT-32. Su uso es común en amplificadores de vertical de televisión y en una amplia gama de equipos electrónicos, particularmente en controladores y amplificadores de señal de audio.

Características:

  • Polaridad del transistor: NPN.
  • Encapsulado: TO-126.
  • Número de pines: 3.
  • Alta capacidad de disipación de potencia.

Especificaciones Máximas:

  • Voltaje colector-base (VCBO): 45 V.
  • Voltaje colector-emisor (VCEO): 45 V.
  • Voltaje emisor-base (VEBO): 5 V.
  • Corriente de colector DC (Ic): 1.5 A.
  • Corriente pico de colector (Icm): 3 A.
  • Corriente base (Ib): 0.5 A.
  • Disipación de energía (Pd, Tc ≤ 25°C): 12.5 W.
  • Temperatura de operación: -55°C a 125°C.

Aplicaciones:

  • Amplificadores de señal de audio.
  • Controladores en circuitos electrónicos.
  • Amplificadores de vertical en televisores.
  • Etapas de potencia en sistemas electrónicos.

El BD135 es una excelente opción para aplicaciones de media potencia donde se requiere una conmutación eficiente y un rendimiento estable.

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