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Transistor BD135 NPN.
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- Voltaje colector-base (VCBO): 45 V.
- Voltaje colector-emisor (VCEO): 45 V.
- Voltaje emisor-base (VEBO): 5 V.
- Corriente de colector DC (Ic): 1.5 A.
- Corriente pico de colector (Icm): 3 A.
- Corriente base (Ib): 0.5 A.
K0546
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Transistor BD135 NPN
El BD135 es un transistor NPN de baja tensión, diseñado para aplicaciones de control y amplificación de señales. Es un transistor plano epitaxial de silicio montado en un paquete de plástico Jedec SOT-32. Su uso es común en amplificadores de vertical de televisión y en una amplia gama de equipos electrónicos, particularmente en controladores y amplificadores de señal de audio.
Características:
- Polaridad del transistor: NPN.
- Encapsulado: TO-126.
- Número de pines: 3.
- Alta capacidad de disipación de potencia.
Especificaciones Máximas:
- Voltaje colector-base (VCBO): 45 V.
- Voltaje colector-emisor (VCEO): 45 V.
- Voltaje emisor-base (VEBO): 5 V.
- Corriente de colector DC (Ic): 1.5 A.
- Corriente pico de colector (Icm): 3 A.
- Corriente base (Ib): 0.5 A.
- Disipación de energía (Pd, Tc ≤ 25°C): 12.5 W.
- Temperatura de operación: -55°C a 125°C.
Aplicaciones:
- Amplificadores de señal de audio.
- Controladores en circuitos electrónicos.
- Amplificadores de vertical en televisores.
- Etapas de potencia en sistemas electrónicos.
El BD135 es una excelente opción para aplicaciones de media potencia donde se requiere una conmutación eficiente y un rendimiento estable.
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