Transistor Mosfet Canal N 13N60M2 650 11A 0.38 Ohm

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Hay existencias


  • Disipación de potencia (Pd): 110 W
  • Voltaje drenador-fuente (Vds): 600 V
  • Voltaje puerta-fuente (Vgs): ±25 V
  • Corriente de drenaje continua (Id): 11 A
  • Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

K0629

$89.99 IVA incluido

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MOSFET STU13N60M2

El MOSFET STU13N60M2 es un transistor de potencia de canal N diseñado para aplicaciones
de conmutación y control en circuitos de alta tensión. Ofrece una combinación de baja resistencia
Rds(on), buena capacidad de conmutación y alta eficiencia, lo que lo hace adecuado para fuentes
conmutadas, control de motores y equipos industriales.

Características principales

  • Número de Parte: STU13N60M2
  • Código: 13N60M2
  • Tipo de FET: MOSFET
  • Polaridad: N-Channel

Especificaciones máximas

  • Disipación de potencia (Pd): 110 W
  • Voltaje drenador-fuente (Vds): 600 V
  • Voltaje puerta-fuente (Vgs): ±25 V
  • Corriente de drenaje continua (Id): 11 A
  • Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Características eléctricas

  • Tensión umbral puerta-fuente (Vgs(th)): 4 V
  • Carga de puerta total (Qg): 17 nC
  • Tiempo de subida (tr): 10 ns
  • Capacitancia de salida (Coss): 32 pF
  • Resistencia Rds(on): 0.38 Ω
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