Transistor 2N5401 PNP.

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Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
K0069

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El 2N5401 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Al mirar el lado plano con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, los cables del emisor, la base y el colector.
Es un amplificador con tensión colector-emisor a 150 V y la disipación de colector a 625MW. Este dispositivo cuenta con apagado térmico y limitador de corriente haciendo que el dispositivo sea muy robusto. En la mayoría de aplicaciones, no se requieren componentes externos para el funcionamiento. Útil para la regulación de la tarjeta o cualquier otra aplicación donde se necesita una tensión negativa regulada a un nivel de corriente modesta. Este dispositivo ofrece una ventaja sustancial sobre el enfoque común de diodo resistencia / Zener.
Características:
Número de Parte: 2N5401
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60

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