Transistor IRFZ48N Mosfet de potencia 49A 55V 250W canal N.

El rectificador utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr resistencia extremadamente baja por área de silicio. este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y robustez diseño del dispositivo que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocido, proporciona al diseñador una herramienta extremadamente eficiente y dispositivo confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas aplicaciones comerciales, industriales en la disipación de energía niveles a aproximadamente 50 W. La baja térmica la resistencia y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
Número de Parte: IRFZ48N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 130 W
Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 55 V
Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 64 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 81(max) nC
Tiempo de subida (tr): 78 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 470 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.014 Ohm