Electrónica
Transistor Mosfet Canal N 13N60M2 650 11A 0.38 Ohm
Disponibilidad:
Hay existencias
- Disipación de potencia (Pd): 110 W
- Voltaje drenador-fuente (Vds): 600 V
- Voltaje puerta-fuente (Vgs): ±25 V
- Corriente de drenaje continua (Id): 11 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
K0629
$89.99 IVA incluido
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$92.99 3 elemento(s)
MOSFET STU13N60M2
El MOSFET STU13N60M2 es un transistor de potencia de canal N diseñado para aplicaciones
de conmutación y control en circuitos de alta tensión. Ofrece una combinación de baja resistencia
Rds(on), buena capacidad de conmutación y alta eficiencia, lo que lo hace adecuado para fuentes
conmutadas, control de motores y equipos industriales.
Características principales
- Número de Parte: STU13N60M2
- Código: 13N60M2
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad: N-Channel
Especificaciones máximas
- Disipación de potencia (Pd): 110 W
- Voltaje drenador-fuente (Vds): 600 V
- Voltaje puerta-fuente (Vgs): ±25 V
- Corriente de drenaje continua (Id): 11 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
Características eléctricas
- Tensión umbral puerta-fuente (Vgs(th)): 4 V
- Carga de puerta total (Qg): 17 nC
- Tiempo de subida (tr): 10 ns
- Capacitancia de salida (Coss): 32 pF
- Resistencia Rds(on): 0.38 Ω
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