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Transistor mosfet canal N 2N7000 60V 0.2A 5 Ohm
Disponibilidad:
Hay existencias
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vds): 60V
- Corriente Continua de Drenaje (Id): 200mA
- Resistencia de Activación (Rds(on)): 5 Ohms
- Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
- Disipación de Potencia (Pd): 400mW
K0102
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Transistor MOSFET Canal N 2N7000 60V 0.2A 5 Ohm
El 2N7000 es un MOSFET de canal N diseñado para conmutación rápida y eficiente. Su tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) proporciona un rendimiento robusto y confiable en aplicaciones de baja potencia. Es ideal para circuitos que operan con voltajes de hasta 60V y una corriente de drenaje de hasta 200mA.
Características:
- Serie: 2N7000
- Tipo de transistor: MOSFET
- Polaridad: Canal N
- Estilo de montaje: Through Hole
- Encapsulado: TO-92-3
- Aplicaciones: Conmutación rápida, circuitos de baja potencia, sistemas de control y protección de carga
Especificaciones Máximas:
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vds): 60V
- Corriente Continua de Drenaje (Id): 200mA
- Resistencia de Activación (Rds(on)): 5 Ohms
- Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
- Disipación de Potencia (Pd): 400mW
- Temperatura de trabajo mínima: –55 °C
- Temperatura de trabajo máxima: 150 °C
Dimensiones:
- Altura: 5.33 mm
- Longitud: 5.2 mm
- Ancho: 4.19 mm
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