Transistor mosfet canal N 2N7000 60V 0.2A 5 Ohm

Transistor MOSFET Canal N 2N7000 60V 0.2A 5 Ohm

El 2N7000 es un MOSFET de canal N diseñado para conmutación rápida y eficiente. Su tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) proporciona un rendimiento robusto y confiable en aplicaciones de baja potencia. Es ideal para circuitos que operan con voltajes de hasta 60V y una corriente de drenaje de hasta 200mA.

Características:

• Serie: 2N7000
• Tipo de transistor: MOSFET
• Polaridad: Canal N
• Estilo de montaje: Through Hole
• Encapsulado: TO-92-3
• Aplicaciones: Conmutación rápida, circuitos de baja potencia, sistemas de control y protección de carga

Especificaciones Máximas:

• Voltaje de Drenaje a Fuente (Vds): 60V
• Corriente Continua de Drenaje (Id): 200mA
• Resistencia de Activación (Rds(on)): 5 Ohms
• Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
• Disipación de Potencia (Pd): 400mW
• Temperatura de trabajo mínima: –55 °C
• Temperatura de trabajo máxima: 150 °C

Dimensiones:

• Altura: 5.33 mm
• Longitud: 5.2 mm
• Ancho: 4.19 mm