MOSFET IRF613 – Transistor de Potencia Canal N

MOSFET IRF613 – Transistor de Potencia Canal N

El IRF613 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de alta velocidad en fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, control de motores, relés y solenoides. Su tecnología avanzada permite una rápida conmutación y baja resistencia en estado de conducción, ideal para circuitos de potencia e impulso.

Características Principales:

• Tipo de transistor: MOSFET
• Polaridad: Canal N
• Disipación máxima de potencia (Pd): 20 W
• Voltaje máximo drenador-fuente (Vds): 150 V
• Voltaje máximo puerta-fuente (Vgs): 20 V
• Tensión umbral entre puerta y fuente (Vgs(th)): 4 V
• Corriente máxima de drenaje (Id): 2 A
• Resistencia en estado encendido (RDS(on)): 2.4 Ω
• Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Características Eléctricas:

• Carga total de la puerta (Qg): 7.5 nC (máx.)
• Tiempo de subida (tr): 25 nS (máx.)
• Capacitancia de drenaje-fuente (Cds): 80 pF (máx.)

Aplicaciones:

• Fuentes de alimentación conmutadas
• Convertidores de corriente
• Controladores de motores CA y CC
• Control de relés y solenoides
• Circuitos de conmutación de alta velocidad

Encapsulado:

• Formato: TO-220AB
• Número de pines: 3