Transistor 40N65 650V 80A
Hay existencias
Voltaje máximo soportado: 650V
Corriente máxima soportada: 80 A
K0475
$99.99 $150.00 IVA incluido
Hay existencias
Características:
Alto voltaje de ruptura de hasta 650 V para confiabilidad mejorada
Oferta de tecnología Trench-Stop:
Conmutación de alta velocidad
Alta robustez, temperatura estable
VCEsat bajo
Fácil capacidad de conmutación en paralelo debido al coeficiente de temperatura positivo en VCEsat
Capacidad de avalancha mejorada
Especificaciones técnicas:
Número de Parte: YGW40N65F1
Tipo de transistor: IGBT + Diodo
Polaridad de transistor: N
Máxima potencia disipada: 188 W
Tensión máxima colector-emisor: 650 V
Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tensión máxima de puerta-umbral: 5.6 V
Temperatura máxima de unión: 175 ℃
Tiempo de subida, typ: 80 nS
Capacitancia de salida, typ: 100 pF
Carga total de la puerta, typ: 90 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Aplicación:
Suministros de energía ininterrumpida
Inversor
Convertidores de soldadura
Aplicaciones PFC
Convertidor con alta frecuencia de conmutación
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