Transistor IRF9520 100V 6.8A 0.6 Ohm Mosfet canal P
Hay existencias
- Voltaje máximo drenador-fuente (Vds): 100 V
- Voltaje máximo fuente-puerta (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 6.8 A
- Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
- Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
K0416
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Transistor IRF9520 100V 6.8A 0.6 Ohm MOSFET Canal P
El IRF9520PBF es un MOSFET de potencia de canal P diseñado para amplificación y conmutación de señales electrónicas. Es ampliamente utilizado en la industria microelectrónica en circuitos analógicos y digitales. Su diseño robusto y baja resistencia lo hacen ideal para aplicaciones industriales, administración de potencia y dispositivos electrónicos portátiles.
Este MOSFET proporciona una combinación óptima de conmutación rápida, facilidad de paralelismo y bajo consumo térmico, lo que contribuye a su amplia aceptación en la industria.
Características:
- Polaridad: Canal P
- Encapsulado: TO-220
- Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo
- Diseño robusto: Baja resistencia térmica y fácil integración en circuitos de alta potencia
Especificaciones Máximas:
- Voltaje máximo drenador-fuente (Vds): 100 V
- Voltaje máximo fuente-puerta (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 6.8 A
- Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
- Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
- Temperatura mínima de operación: -55°C
- Temperatura máxima de operación: 175°C
Características Eléctricas:
- Tiempo de subida: 29 nS
- Capacitancia de salida: 170 pF
- Resistencia en estado encendido drenaje-fuente (Rds(on)): 0.6 Ohm
- Carga de la puerta: 18 nC (máx)
Sustitutos:
- NTE2371
- IRFI9520G
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