Transistor IRF9520 100V 6.8A 0.6 Ohm Mosfet canal P

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Hay existencias


  • Voltaje máximo drenador-fuente (Vds): 100 V
  • Voltaje máximo fuente-puerta (Vgs): 20 V
  • Corriente continua de drenaje (Id): 6.8 A
  • Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
  • Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W

K0416

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Transistor IRF9520 100V 6.8A 0.6 Ohm MOSFET Canal P

El IRF9520PBF es un MOSFET de potencia de canal P diseñado para amplificación y conmutación de señales electrónicas. Es ampliamente utilizado en la industria microelectrónica en circuitos analógicos y digitales. Su diseño robusto y baja resistencia lo hacen ideal para aplicaciones industriales, administración de potencia y dispositivos electrónicos portátiles.

Este MOSFET proporciona una combinación óptima de conmutación rápida, facilidad de paralelismo y bajo consumo térmico, lo que contribuye a su amplia aceptación en la industria.

Características:

  • Polaridad: Canal P
  • Encapsulado: TO-220
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo
  • Diseño robusto: Baja resistencia térmica y fácil integración en circuitos de alta potencia

Especificaciones Máximas:

  • Voltaje máximo drenador-fuente (Vds): 100 V
  • Voltaje máximo fuente-puerta (Vgs): 20 V
  • Corriente continua de drenaje (Id): 6.8 A
  • Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
  • Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
  • Temperatura mínima de operación: -55°C
  • Temperatura máxima de operación: 175°C

Características Eléctricas:

  • Tiempo de subida: 29 nS
  • Capacitancia de salida: 170 pF
  • Resistencia en estado encendido drenaje-fuente (Rds(on)): 0.6 Ohm
  • Carga de la puerta: 18 nC (máx)

Sustitutos:

  • NTE2371
  • IRFI9520G
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