Transistor IRFZ48N Mosfet de potencia 49A 55V 250W canal N.

Transistor IRFZ48N MOSFET de Potencia 49A 55V 250W Canal N

El IRFZ48N es un MOSFET de canal N diseñado con tecnología HEXFET para ofrecer baja resistencia y alta eficiencia. Su capacidad para manejar hasta 64A y operar a 55V lo hacen ideal para aplicaciones de alta potencia y conmutación rápida, como fuentes de alimentación, convertidores de energía y control de motores.

Gracias a su baja resistencia RDS(on) de solo 0.014Ω, el IRFZ48N proporciona una excelente disipación térmica y eficiencia energética. Su encapsulado TO-220 es ampliamente utilizado en la industria comercial e industrial debido a su bajo costo y alta fiabilidad.

Características:

• Número de Parte: IRFZ48N
• Tipo de transistor: MOSFET
• Polaridad: Canal N
• Encapsulado: TO-220
• Aplicaciones: Fuentes de alimentación conmutadas, convertidores de energía, control de motores, sistemas de carga de baterías

Especificaciones Máximas:

• Máxima disipación de potencia (Pd): 130 W
• Voltaje máximo drenador-fuente (Vds): 55 V
• Voltaje máximo fuente-puerta (Vgs): 20 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 64 A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

Características Eléctricas:

• Tensión umbral entre puerta y fuente (Vgs(th)): 4 V
• Carga de la puerta (Qg): 81 nC (máx)
• Tiempo de subida (tr): 78 nS
• Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 470 pF
• Resistencia entre drenaje y fuente (RDS(on)): 0.014 Ω