$93.00 3 elemento(s)
Electrónica
Transistor Mosfet Canal N 13N60M2 650 11A 0.38 Ohm
Disponibilidad:
Hay existencias
- Disipación de potencia (Pd): 110 W
- Voltaje drenador-fuente (Vds): 600 V
- Voltaje puerta-fuente (Vgs): ±25 V
- Corriente de drenaje continua (Id): 11 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
K0629
$90.00 IVA incl.
Hay existencias
Clave SAT: 32131000
MOSFET STU13N60M2
El MOSFET STU13N60M2 es un transistor de potencia de canal N diseñado para aplicaciones
de conmutación y control en circuitos de alta tensión. Ofrece una combinación de baja resistencia
Rds(on), buena capacidad de conmutación y alta eficiencia, lo que lo hace adecuado para fuentes
conmutadas, control de motores y equipos industriales.
Características principales
- Número de Parte: STU13N60M2
- Código: 13N60M2
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad: N-Channel
Especificaciones máximas
- Disipación de potencia (Pd): 110 W
- Voltaje drenador-fuente (Vds): 600 V
- Voltaje puerta-fuente (Vgs): ±25 V
- Corriente de drenaje continua (Id): 11 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
Características eléctricas
- Tensión umbral puerta-fuente (Vgs(th)): 4 V
- Carga de puerta total (Qg): 17 nC
- Tiempo de subida (tr): 10 ns
- Capacitancia de salida (Coss): 32 pF
- Resistencia Rds(on): 0.38 Ω
Basado en 0 comentarios
Sé el primero en opinar "Transistor Mosfet Canal N 13N60M2 650 11A 0.38 Ohm"
Debes iniciar sesión para publicar una reseña.
- Continuar conGoogle
Llanta Tipo 32x7. Compatible N20
CD4017 Contador divisor.
Attiny 85 Digispark USB.
Servomotor MG995 Towerpro 15kg Servo
Base extractor de humo grande
LiteBeam airMAX M5 Ubiquiti CPE hasta 100 Mbps, 5 GHz (5150 - 5875 MHz) con antena integrada de 23 dBi
LED emisor IR transparente infrarrojo.
MC34063 Regulador de voltaje/reductor.









Todavía no hay comentarios.