MOSFET IRF613 – Transistor de Potencia Canal N

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  • Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W.
  • Tensión colector-base (Vcb): 60 V.
  • Tensión colector-emisor (Vce): 50 V.
  • Tensión emisor-base (Veb): 5 V.
  • Corriente máxima del colector (Ic): 0.15 A.
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C.

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  • Polaridad del transistor: N
  • Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
  • Voltaje máximo drenador-fuente (Vds): 600 V
  • Voltaje máximo fuente-puerta (Vgs): 30 V

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  • Máxima disipación de potencia (Pd): 130 W
  • Voltaje máximo drenador-fuente (Vds): 55 V
  • Voltaje máximo fuente-puerta (Vgs): 20 V
  • Corriente continua de drenaje (Id): 64 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

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  • Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W
  • Tensión colector-base (Vcb): 140 V
  • Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
  • Tensión emisor-base (Veb): 5 V
  • Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

  K0482

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