Transistor 40N65 650V 80A

Transistor 40N65 650V 80A

El 40N65 es un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potencia, diseñado para aplicaciones que requieren alta eficiencia y confiabilidad. Su capacidad de operar hasta 650V y manejar corrientes de hasta 80A lo hace ideal para inversores, convertidores de soldadura y aplicaciones PFC.

Gracias a su tecnología Trench-Stop, este transistor ofrece conmutación de alta velocidad, baja caída de tensión (VCEsat) y alta robustez térmica. Además, su fácil capacidad de conmutación en paralelo lo convierte en una excelente opción para sistemas de alta potencia.

Características:

• Número de Parte: YGW40N65F1
• Tipo de transistor: IGBT + Diodo
• Polaridad: N
• Encapsulado: TO-247
• Aplicaciones: Suministros de energía ininterrumpida, inversores, convertidores de soldadura, aplicaciones PFC

Especificaciones Máximas:

• Máxima potencia disipada: 188 W
• Tensión máxima colector-emisor (Vce): 650 V
• Tensión máxima puerta-emisor (Vge): 20 V
• Corriente de colector continua a 25°C: 80 A
• Voltaje de saturación colector-emisor típico (VCEsat): 1.8 V @ 25°C
• Tensión máxima de puerta-umbral: 5.6 V
• Temperatura máxima de unión: 175°C

Características Eléctricas:

• Tiempo de subida típico: 80 nS
• Capacitancia de salida típica: 100 pF
• Carga total de la puerta típica: 90 nC